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キオクシア、200億円で開発棟新設 横浜に

 半導体大手キオクシア(旧東芝メモリ)は13日、計約200億円を投資して電子機器の記録媒体「フラッシュメモリー」などの研究・開発棟を横浜市内2カ所に新設すると発表した。分散していた拠点を集約し、需要が高まる半導体の研究や技術開発を強化する。いずれも令和5年夏の稼働を予定している。

 フラッシュメモリーやデータセンター向けの記憶装置「ソリッドステートドライブ(SSD)」の製品開発を担う「横浜テクノロジーキャンパス」(横浜市栄区)のスペースを2倍に拡張し、今秋から6階建ての新棟を建てる。将来の人員増も見据えて製品開発の強化や、製品評価の機能を高めて品質のさらなる向上を目指す。

 横浜市神奈川区にフラッシュメモリーの基礎研究などを進める拠点も設け、次世代フラッシュメモリーや高性能のSSDの技術開発を支える。

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